(DOU de 29.03.2023)
Altera o Decreto n° 10.615, de 29 de janeiro de 2021, que dispõe sobre o Programa de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico da Indústria de Semicondutores, instituído pela Lei n° 11.484, de 31 de maio de 2007.
O PRESIDENTE DA REPÚBLICA, no uso das atribuições que lhe confere o art. 84, caput, incisos IV e VI, alínea “a”, da Constituição, e tendo em vista o disposto nos Capítulos I e IV da Lei n° 11.484, de 31 de maio de 2007, e na Lei n° 14.302, de 7 de janeiro de 2022,
DECRETA:
Art. 1° O Decreto n° 10.615, de 29 de janeiro de 2021, passa a vigorar com as seguintes alterações:
“Art. 5° Observado o disposto no Capítulo IV, a pessoa jurídica beneficiária do Padis fará jus a crédito financeiro calculado sobre o dispêndio efetivamente aplicado no trimestre anterior em atividades de pesquisa, desenvolvimento e inovação, de que trata o art. 14, multiplicado por:
I – dois inteiros e sessenta e dois centésimos, até 31 de dezembro de 2024, limitado a treze inteiros e dez centésimos por cento da base de cálculo do valor dos investimentos em pesquisa, desenvolvimento e inovação, no referido período de apuração, no mercado interno, da pessoa jurídica habilitada; e
II – dois inteiros e quarenta e seis centésimos, de 1° de janeiro de 2025 a 31 de dezembro de 2026, limitado a doze inteiros e trinta centésimos por cento da base de cálculo do valor de investimento em pesquisa, desenvolvimento e inovação, no referido período de apuração, no mercado interno, da pessoa jurídica habilitada.
………………………………………………………………………………………………………….” (NR)
“Art. 9°-A Os projetos referidos na alínea “b” do inciso II do § 4° do art. 11, aprovados na forma prevista no art. 12, e os respectivos atos de habilitação concedidos pela Secretaria Especial da Receita Federal do Brasil do Ministério da Fazenda até 10 de janeiro de 2022, permanecem vigentes, independentemente de qualquer ato administrativo específico, observado o disposto no art. 53.” (NR)
“Art. 11. ……………………………………………………………………………………………….
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III – insumos e equipamentos dedicados e destinados à fabricação de componentes ou dispositivos eletrônicos semicondutores, relacionados em ato do Poder Executivo federal e fabricados conforme processo produtivo básico estabelecido em ato conjunto dos Ministros de Estado da Fazenda e da Ciência, Tecnologia e Inovação, e em relação aos seguintes produtos:
a) mástique de vidraceiro, cimento de resina e outros mástiques, para fixação ou vedação de vidro em módulos fotovoltaicos, classificados no código 3214.10.10 da Nomenclatura Comum do Mercosul – NCM;
b) silicone, na forma de elastômero – encapsulante, classificado no código 3910.00.21 da NCM;
c) chapas, folhas, tiras, autoadesivas de plástico, mesmo em rolos, a base de polímero – Etileno de Acetato de Vinilo, classificadas no código 3920.10.99 da NCM;
d) substrato plástico para fechamento traseiro – backsheet, classificado no código 3920.69.00 da NCM;
e) chapas, folhas, tiras ou filmes de Copolímero de Etileno – POE, não adesivo, não alveolar, para uso como encapsulante, na manufatura de módulos solares fotovoltaicos, classificados no código 3920.99.90 da NCM;
f) vidro plano, temperado, de alta transmitância e de baixo teor de ferro, com ou sem revestimento antirreflexivo, classificado no código 7007.19.00 da NCM;
g) chapas e tiras de cobre, de espessura superior a 0,15 mm (quinze centésimos de milímetro), para conexão de células solares, classificadas no código 7409.19.00 da NCM;
h) chapas e tiras de ligas de cobre, de espessura superior a 0,15 mm (quinze centésimos de milímetro), para conexão de células solares, classificadas no código 7409.90.00 da NCM;
i) chapas e tiras de cobre, de espessura não superior a 0,15 mm (quinze centésimos de milímetro), para conexão de células solares, classificadas no código 7410.21.90 da NCM;
j) chapas, barras, perfis ou tubos de alumínio para compor a moldura do módulo fotovoltaico, classificados no código 7610.90.00 da NCM;
k) caixas de junção para tensão superior a 1.000 V (mil volts) em corrente contínua, para uso em módulos solares fotovoltaicos, classificadas no código 8535.30.19 da NCM;
l) caixas de junção, com diodos e cabos de conexão, para tensão superior a 1.000 V (mil volts), em corrente contínua, para uso em módulos solares fotovoltaicos, classificadas no código 8535.90.90 da NCM;
m) caixas de junção para tensão inferior a 1.000 V (mil volts), em corrente contínua, para uso em módulos solares fotovoltaicos, classificadas no código 8536.90.90 da NCM;
n) outras células solares, classificadas no código 8541.42.20 da NCM;
o) condutores elétricos, para uma tensão não superior a 1.000 V (mil volts), munidos de peças de conexão, classificados no código 8544.42.00 da NCM;
p) condutores elétricos, para uma tensão não superior a 1.000 V (mil volts), classificados no código 8544.49.00 da NCM;
q) condutores elétricos, para uma tensão superior a 1.000 V (mil volts), classificados no código 8544.60.00 da NCM; e
r) outros insumos e equipamentos relacionados em ato do Poder Executivo federal.
…………………………………………………………………………………………………………….” (NR)
“Art. 16. ……………………………………………………………………………………………….
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§ 8° Os gastos realizados com a aquisição, a implantação, a ampliação ou a modernização de infraestrutura física, seja ela própria ou de laboratórios de pesquisa, desenvolvimento e inovação de instituição científica, tecnológica e de inovação, realizadas e justificadas no âmbito de projetos de pesquisa, desenvolvimento e inovação, não poderão exceder trinta por cento do total de investimentos em pesquisa, desenvolvimento e inovação prevista no art. 14.” (NR)
“Art. 52. Observado o disposto no art. 64 da Lei n° 11.484, de 2007, as disposições do art. 2° e do art. 5° deste Decreto vigorarão até 31 de dezembro de 2026.” (NR)
Art. 2° Ficam revogados os seguintes dispositivos do Decreto n° 10.615, de 2021:
I – o § 1° do art. 5°;
II – o § 2° do art. 12; e
III – os incisos I e II do caput do art. 52.
Art. 3° Este Decreto entra em vigor na data de sua publicação.
Brasília, 28 de março de 2023; 202° da Independência e 135° da República.
LUIZ INÁCIO LULA DA SILVA
LUCIANA BARBOSA DE OLIVEIRA SANTOS
FERNANDO HADDAD
GERALDO JOSÉ RODRIGUES ALCKMIN FILHO
